-
描述:ME8205系列 共漏N沟道型功率场效应（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。 MEM8205适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。 特点:●20V/6A●RDS(ON) =20mΩ@ VG......
经营者：深圳市亿创微芯电子有限公司
主营产品：
深圳市亿创芯微主要经营产品,泉芯品牌,QX2303系列,QX2304系列,QX7135,QX713
-
经营者：南昌国材科技有限公司
主营产品：
库存金属材料,其他金属包装材料,非金属材料试验机
-
经营者：南京飞米电子有限公司
主营产品：
电子电器生产线,其他电子产品制造设备,医用电子仪器设备
-
LT1005-T LEM 莱姆电流传感器 闭环霍尔效应 原装zhengpin北京中电wei芯科技有限公司主要从事新能源，医疗电子，物联网方面。进口电子元器件和传感器代理分销、电子技术方案推广及电子产品的进出口代理业务。专致于传感器行业，经营业绩和规模不断高......
经营者：北京中电唯芯科技有限公司
主营产品：
传感器,汽车传感器,电感器
-
LAX100-NP LEM莱姆电流传感器霍尔效应传感 原装公司主要从事新能源，医疗电子，物联网方面。进口电子元器件和传感器代理分销、电子技术方案推广及电子产品的进出口代理业务。专致于传感器行业，经营业绩和规模不断高速增长，在香港、上海、深圳和山东......
经营者：北京中电唯芯科技有限公司
主营产品：
传感器,汽车传感器,电感器
-
HASS300-S LASS系列产品 LEM/莱姆电流传感器开环霍尔效应额定电流300A 1%公司主要从事新能源，医疗电子，物联网方面。进口电子元器件和传感器代理分销、电子技术方案推广及电子产品的进出口代理业务。专致于传感器行业，经营业绩和规模不断高速增长......
经营者：北京中电唯芯科技有限公司
主营产品：
传感器,汽车传感器,电感器
-
品 牌： Infineon(英飞凌)厂家型号： SPW35N60C3封装： TO-247商品毛重： 7.86克(g)包装方式： 管装英飞凌 SPW35N60C3场效应管 MOS 封装TO-247
经营者：深圳市宏鼎微科技有限公司
主营产品：
单片机
-
北京华恒鑫达科技发展有限公司 是一家致力于为核工业研究及生产l域提供元器件和相关产品设备的公司。多年来，公司的客户已遍布全国各地，因真诚﹑守信﹑服务周到而赢得相关l域客户的信赖
经营者：北京华恒鑫达科技发展有限工司
主营产品：
放大器
-
品 牌： Infineon(英飞凌)厂家型号： IRF640NPBF封装： TO-220(TO-220-3)商品毛重： 2.64克(g)包装方式： 管装
经营者：深圳市宏鼎微科技有限公司
主营产品：
单片机
-
商品目录 ：场效应管(MOSFET)类型： N沟道漏源电压(Vdss) ：75V连续漏Ji电流(Id)： 7.8A功率(Pd) ：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 22mΩ@10V,7.2A阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250μA美台MOS管 DMN7022LFGQ场效应管 原装
经营者：深圳市宏鼎微科技有限公司
主营产品：
单片机
-
品 牌： Infineon(英飞凌)厂家型号： IPD60R280P7S封装： PG-TO252-3商品毛重： 1克(g)包装方式： 编带商品目录 场效应管(MOSFET) ：类型 N沟道 漏源电压(Vdss)： 600V 连续漏j电流(Id)： 12A 功率(Pd)： 53W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 280mΩ@10V,3.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@190μA
经营者：深圳市宏鼎微科技有限公司
主营产品：
单片机
-
DRV系列：DRV5013BCEDBZTQ1 DRV5013AGQDBZRQ1 DRV5013BCQDBZTQ1 DRV5013ADQDBZRQ1 PDRV5013FAEDBZRQ1 DRV5013ADEDBZJQ1 DRV5013BCQLPGQ1 DRV5013ADELPGQ1 DRV5013ADQLPGQ1 DRV5013BCEDBZRQ1 DRV5013BCELPGMQ1 DRV5013BCELPGQ1 DRV5013BCQLP......
经营者：深圳市隆亿诚科技有限公司
主营产品：
通信IC,处理器,铝电解电容,端子(terminal),整流二极管,功率三极管
-
经营者：江山市成辉安全防护用品经营部
主营产品：
其他交通安全设施,反光材料,路障
-
经营者：武汉普赛斯仪表有限公司
主营产品：
图示仪
-
经营者：北京锦正茂科技有限公司
主营产品：
温度传感器,其他实验仪器装置,其他仪器仪表配附件,控制（调节）仪表,仪器仪表加工,仪用电源
-
经营者：北京锦正茂科技有限公司
主营产品：
温度传感器,其他实验仪器装置,其他仪器仪表配附件,控制（调节）仪表,仪器仪表加工,仪用电源
-
经营者：北京锦正茂科技有限公司
主营产品：
温度传感器,其他实验仪器装置,其他仪器仪表配附件,控制（调节）仪表,仪器仪表加工,仪用电源
-
经营者：湖北硒金农业科技有限公司
主营产品：
有机肥
-
经营者：河南曼琳体育用品有限公司
主营产品：
行业设备专用配件,原料药设备及机械,其他液压机械及组配件
-
技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：VB7638批号：20 封装：SOT23-6沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V漏电流(Id)：7A漏源导通电阻(RDS On)：30mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20耗散功率(W)：5pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电jy、......
经营者：深圳市微碧半导体有限公司
主营产品：
电子元器件包装,库存电子元器件、材料,其他电子元器件
-
标注的Id电流是MOS芯片的常态电流，实际使用时的常态电流还要受封装的电流限制。因此客户设计产品时的使用电流设定要考虑封装的电流限制。建议客户设计产品时的使用电流设定更重要的是要考虑MOS的内阻参数。2. 建议在MOS的栅源（G/S）之间并一个电阻（......
经营者：深圳市富利豪科技有限公司
主营产品：
卫星天线,汽车天线
-
技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：VBQA1606批号：20 封装：DFN8(5X6)沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V漏电流(Id)：80A漏源导通电阻(RDS On)：6mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20耗散功率(W)：136pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广......
经营者：深圳市微碧半导体有限公司
主营产品：
电子元器件包装,库存电子元器件、材料,其他电子元器件
-
技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：VBI1638批号：20 封装：SOT89-3沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V漏电流(Id)：8A漏源导通电阻(RDS On)：30mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20耗散功率(W)：1.7pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电jy......
经营者：深圳市微碧半导体有限公司
主营产品：
电子元器件包装,库存电子元器件、材料,其他电子元器件
-
技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：VBJ1638批号：20 封装：SOT223沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V漏电流(Id)：7A漏源导通电阻(RDS On)：29mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20耗散功率(W)：1.7pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电jy......
经营者：深圳市微碧半导体有限公司
主营产品：
电子元器件包装,库存电子元器件、材料,其他电子元器件
-
技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：VBA1630批号：20 封装：SOP8沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V漏电流(Id)：7.6A漏源导通电阻(RDS On)：25mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20耗散功率(W)：5pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电jy、......
经营者：深圳市微碧半导体有限公司
主营产品：
电子元器件包装,库存电子元器件、材料,其他电子元器件
-
技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：80N10批号：20 封装：TO220沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V漏电流(Id)：100A漏源导通电阻(RDS On)：8.5mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：250pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电j......
经营者：深圳市微碧半导体有限公司
主营产品：
电子元器件包装,库存电子元器件、材料,其他电子元器件
-
技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：VBM1638批号：20 封装：TO220沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V漏电流(Id)：50A漏源导通电阻(RDS On)：24mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20耗散功率(W)：150pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电jy......
经营者：深圳市微碧半导体有限公司
主营产品：
电子元器件包装,库存电子元器件、材料,其他电子元器件
-
技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：VBM1102N批号：20 封装：TO220沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V漏电流(Id)：70A漏源导通电阻(RDS On)：18mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20耗散功率(W)：355pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电j......
经营者：深圳市微碧半导体有限公司
主营产品：
电子元器件包装,库存电子元器件、材料,其他电子元器件
-
技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：VBE1101N批号：20 封装：TO252沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V漏电流(Id)：8A漏源导通电阻(RDS On)：7.5mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20耗散功率(W)：210pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电j......
经营者：深圳市微碧半导体有限公司
主营产品：
电子元器件包装,库存电子元器件、材料,其他电子元器件
-
技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：FDS9400A批号：20 封装：SOP8沟道类型：P沟道漏源电压(Vdss)：-30V漏电流(Id)：-5.8A漏源导通电阻(RDS On)：42mΩ@-10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：2.5pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广......
经营者：深圳市微碧半导体有限公司
主营产品：
电子元器件包装,库存电子元器件、材料,其他电子元器件
内容声明：
1、商务联盟网仅为企业提供信息服务，不提供在线购买服务；如您是个人消费者，不建议您使用本网站。2、以上商品的标题、价格、详情等信息内容均来自于供应商，其真实性、准确性和合法性均由供应商负责；请在贸易洽谈过程中请注意核实。3、如您发现页面内有任何违法/侵权信息，请立即向商务联盟举报并提供有效线索。
描述:ME8205系列 共漏N沟道型功率场效应（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。 MEM8205适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。 特点:●20V/6A●RDS(ON) =20mΩ@ VG......经营者：深圳市亿创微芯电子有限公司