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RFP40N10 场效应管 MOS管 N沟道 100V/45

技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：RFP40N10批号：20 封装：TO220沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V漏电流(Id)：4A漏源导通电阻(RDS On)：32mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：127pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电j......

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IRFZ24NS MOS管 N沟道场效应管 60V/50A

技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：IRFZ24NS批号：20 封装：TO263沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V漏电流(Id)：50A漏源导通电阻(RDS On)：23mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±10V耗散功率(W)：150pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电j......

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XP152A12C0MR MOS管 P沟道场效应管 -20

技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：XP152A12C0MR批号：20 封装：SOT23-3沟道类型：P沟道漏源电压(Vdss)：-20V漏电流(Id)：-A漏源导通电阻(RDS On)：43mΩ@-4.5V栅源电压(Vgs)：±12V耗散功率(W)：2.5pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪......

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AO4407 MOS管 P沟道场效应管 -30V/-11.

技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：AO4407批号：20 封装：SOP8沟道类型：P沟道漏源电压(Vdss)：-30V漏电流(Id)：-11.6A漏源导通电阻(RDS On)：12.5mΩ@-10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：5.6pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、......

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IRF9530NPBF MOS管 P沟道场效应管 -100

技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：IRF9530NPBF批号：20 封装：TO220沟道类型：P沟道漏源电压(Vdss)：-100V漏电流(Id)：-18A漏源导通电阻(RDS On)：167mΩ@-10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：11.7pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪......

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FR3505 MOS管 N沟道场效应管 60V/50A T

技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：FR3505批号：20 封装：TO252沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V漏电流(Id)：50A漏源导通电阻(RDS On)：12mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：136pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电jy......

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IRFL9110TRPBF MOS管 P沟道场效应管 -1

技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：IRFL9110TRPBF批号：20 封装：SOT223沟道类型：P沟道漏源电压(Vdss)：-100V漏电流(Id)：-3A漏源导通电阻(RDS On)：200mΩ@-10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：6.5pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量......

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VBA1104N MOS管 N沟道场效应管 100V/6.

技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：VBA1104N批号：20 封装：SOP8沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V漏电流(Id)：6.4A漏源导通电阻(RDS On)：40mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20耗散功率(W)：5.9pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电j......

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2SK4033 MOS管 N沟道场效应管 60V/18.2

技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：2SK4033批号：20 封装：TO252沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V漏电流(Id)：18.2A漏源导通电阻(RDS On)：73mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：41.7pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广......

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AP40N03GP MOS管 N沟道场效应管 30V/55

技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：AP40N03GP批号：20 封装：TO220沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V漏电流(Id)：5A漏源导通电阻(RDS On)：10mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：120pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电j......

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VBMB2102M MOS管 P沟道场效应管 -100V/

技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：VBMB2102M批号：20 封装：TO220F沟道类型：P沟道漏源电压(Vdss)：-100V漏电流(Id)：-12A漏源导通电阻(RDS On)：220mΩ@-10V栅源电压(Vgs)：±20耗散功率(W)：3pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、......

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VBA1101M MOS管 N沟道场效应管 100V/4.

技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：VBA1101M批号：20 封装：SOP8沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V漏电流(Id)：4.2A漏源导通电阻(RDS On)：124mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20耗散功率(W)：4.8pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电......

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VBA5311 MOS管 N+P沟道场效应管 30V/11

技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：VBA5311批号：20 封装：SOP8沟道类型：N P沟道漏源电压(Vdss)：30V漏电流(Id)：11A漏源导通电阻(RDS On)：11mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20耗散功率(W)：6.1/5.2pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、......

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AO3457 P沟道 MOS/场效应管 -30V/-4.3A AOS美国万代系列

商品目录功率MOSFET封装/外壳SOT23-3FET类型N-ChannelESD DiodeNoSchottky DiodeNo漏源电压Vds30V栅电压Vgs20V连续漏电流Id5.8APd-功率耗散(Max)1.4WRds On(Max)@Id,Vgs25mΩ@10VRds On(Max)@4.5V35mΩVGS(th)2.6Ciss(pF)373Coss(pF)67Crss(pF)41Qg......

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AO3453 P沟道 MOS/场效应管 -30V/-2.6A AOS美国万代系列

AOS产品广泛应用于E-bike、PDVD、DSC、PMP/MP3、VGA显卡、STB机盒、主板、锂电池保护（PCM/BP）等产品，应用型号参考如下：锂电池保护应用: SO-8： AO9926B、Ao4407、AO4409、AO4419、AO4410、AO4411 SOT-23：AO3400、AO3401、AO3414、AO3402、AO3......

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STD16NF06 MOS管 N沟道场效应管 60V/35

技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：STD16NF06批号：20 封装：TO252沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V漏电流(Id)：3A漏源导通电阻(RDS On)：25mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：100pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电j......

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ao3402mos管n沟道场效应管30v65asot233

产品特性	功率	pp	VBsemi（台湾微碧）
型号	AO3402	封装	SOT23-3
批号	20+	FET类型	型

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AO8808A MOS管 N+N沟道场效应管 20V/7.

技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：AO8808A批号：20 封装：TSSOP8沟道类型：N N沟道漏源电压(Vdss)：20V漏电流(Id)：7.6A漏源导通电阻(RDS On)：(Vgs)：±12V耗散功率(W)：1pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电jy、家用电器、工......

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AP9564GM MOS管 P沟道场效应管 -40V/-1

技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：AP9564GM批号：20 封装：SOP8沟道类型：P沟道漏源电压(Vdss)：-40V漏电流(Id)：-16.1A漏源导通电阻(RDS On)：10mΩ@-10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：6.3pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、......

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VB3222 MOS管 N+N沟道场效应管 20V/4.8

技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：VB3222批号：20 封装：SOT23-6沟道类型：N N沟道漏源电压(Vdss)：20V漏电流(Id)：4.8A漏源导通电阻(RDS On)：(Vgs)：±12耗散功率(W)：1.4pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电jy、家用电器、......

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DMG6968U-7 MOS管 N沟道场效应管 30V/6

技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：DMG6968U-7批号：20 封装：SOT23-3沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V漏电流(Id)：6.A漏源导通电阻(RDS On)：30mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：1.7pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、......

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VB9220 MOS管 N+N沟道场效应管 20V/6A

技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：VB9220批号：20 封装：SOT23-6沟道类型：N N沟道漏源电压(Vdss)：20V漏电流(Id)：6A漏源导通电阻(RDS On)：(Vgs)：±12耗散功率(W)：1pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电jy、家用电器、工/航......

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G2306A MOS管 N沟道场效应管 30V/6.A

技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：G2306A批号：20 封装：SOT23-3沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V漏电流(Id)：6.A漏源导通电阻(RDS On)：30mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：1.7pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电j......

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IRLML2030TR MOS管 N沟道场效应管 30V/

技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：IRLML2030TR批号：20 封装：SOT23-3沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V漏电流(Id)：6.A漏源导通电阻(RDS On)：30mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：1.7pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、......

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AOD4132 MOS管 N沟道场效应管 30V/100A

技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：AOD4132批号：20 封装：TO252沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V漏电流(Id)：100A漏源导通电阻(RDS On)：2mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：235pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电jy......

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VBA3102M MOS管 N+N沟道场效应管 100V/

技术参数型号：VBA3102M批号：20 封装：SOP8沟道类型：N N沟道漏源电压(Vdss)：100V漏电流(Id)：3A漏源导通电阻(RDS On)：187mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20耗散功率(W)：2pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电jy、家用电器、工/航......

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WNM2020-3 MOS管 N沟道场效应管 20V/6A

技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：WNM2020-3批号：20 封装：SOT23-3沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V漏电流(Id)：6A漏源导通电阻(RDS On)：(Vgs)：±12V耗散功率(W)：2.1pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电jy、家用电器、工......

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AOD438 MOS管 N沟道场效应管 30V/100A

技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：AOD438批号：20 封装：TO252沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V漏电流(Id)：100A漏源导通电阻(RDS On)：2mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：235pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电jy......

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IRF4435TR MOS管 P沟道场效应管 -30V/-

技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：IRF4435TR批号：20 封装：SOP8沟道类型：P沟道漏源电压(Vdss)：-30V漏电流(Id)：-9A漏源导通电阻(RDS On)：18mΩ@-10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：4.2pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广......

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CEU4311 MOS管 P沟道场效应管 -30V/-40

技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：CEU4311批号：20 封装：TO252沟道类型：P沟道漏源电压(Vdss)：-30V漏电流(Id)：-40A漏源导通电阻(RDS On)：18mΩ@-10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：40pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电......

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