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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：FDS2582批号：20 封装：SOP8沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：150V漏电流(Id)：5.4A漏源导通电阻(RDS On)：80mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：5.9pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电j......
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电子元器件包装,库存电子元器件、材料,其他电子元器件
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：IRF7416TRPBF批号：20 封装：SOP8沟道类型：P沟道漏源电压(Vdss)：-30V漏电流(Id)：-9A漏源导通电阻(RDS On)：18mΩ@-10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：4.2pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、......
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：IM4435G批号：20 封装：SOP8沟道类型：P沟道漏源电压(Vdss)：-30V漏电流(Id)：-9A漏源导通电阻(RDS On)：18mΩ@-10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：4.2pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电j......
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：VBM1158N批号：20 封装：TO220沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：150V漏电流(Id)：20A漏源导通电阻(RDS On)：75mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20耗散功率(W)：107pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电j......
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：IRF7410TR批号：20 封装：SOP8沟道类型：P沟道漏源电压(Vdss)：-12V漏电流(Id)：-16A漏源导通电阻(RDS On)：5mΩ@-4.5V栅源电压(Vgs)：±8V耗散功率(W)：3pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电j......
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pp介绍 我司(VBsemi台湾微碧)，是一家zy从事制造场效应管中低压mos(12V~250V)、高压mos(300V~1000V)、结mos(500V~900V)功率场效应管(MOSFET),晶圆开发设计、封装测试、销售服务、技术支持为一体的企业，企业研发zx位于台湾新竹。企业以自有的pp“微碧V......
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：BSP296批号：20 封装：SOT223-3沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V漏电流(Id)：A漏源导通电阻(RDS On)：100mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：3.3pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电......
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：BUK7675-5A批号：20 封装：TO263沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V漏电流(Id)：50A漏源导通电阻(RDS On)：23mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±10V耗散功率(W)：150pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广......
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：2SK1470批号：20 封装：SOT89-3沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V漏电流(Id)：6.7A漏源导通电阻(RDS On)：88mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：6.3pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广......
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：NTMS10P02R2G批号：20 封装：SOP8沟道类型：P沟道漏源电压(Vdss)：-20V漏电流(Id)：-13A漏源导通电阻(RDS On)：15mΩ@-4.5V栅源电压(Vgs)：±12V耗散功率(W)：19pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器......
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：CEM2163批号：20 封装：SOP8沟道类型：P沟道漏源电压(Vdss)：-20V漏电流(Id)：-13A漏源导通电阻(RDS On)：15mΩ@-4.5V栅源电压(Vgs)：±12V耗散功率(W)：19pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电......
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：AO4286批号：20 封装：SOP8沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V漏电流(Id)：6.4A漏源导通电阻(RDS On)：40mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：5.9pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电jy......
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：ZXMP10A18K批号：20 封装：TO252沟道类型：P沟道漏源电压(Vdss)：-100V漏电流(Id)：-8.8A漏源导通电阻(RDS On)：250mΩ@-10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：32.1pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪......
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：AO4454批号：20 封装：SOP8沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V漏电流(Id)：6.4A漏源导通电阻(RDS On)：40mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：5.9pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电jy......
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：ZXMP10A17GTA批号：20 封装：SOT223沟道类型：P沟道漏源电压(Vdss)：-100V漏电流(Id)：-3A漏源导通电阻(RDS On)：200mΩ@-10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：6.5pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪......
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：BUK9832-55批号：20 封装：SOT223沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V漏电流(Id)：7A漏源导通电阻(RDS On)：29mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：3.3pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广......
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：SUD50N06-09L批号：20 封装：TO252沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V漏电流(Id)：50A漏源导通电阻(RDS On)：12mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：136pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、......
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：ZXMN4A06GT批号：20 封装：SOT223沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V漏电流(Id)：7A漏源导通电阻(RDS On)：29mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：3.3pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广......
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：BUK9840-55批号：20 封装：SOT223沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V漏电流(Id)：7A漏源导通电阻(RDS On)：29mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：3.3pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广......
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：AM4902N-T1-PF批号：20 封装：SOP8沟道类型：N N沟道漏源电压(Vdss)：60V漏电流(Id)：7A漏源导通电阻(RDS On)：40mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：4pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、......
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：SI4920DY-T1批号：20 封装：SOP8沟道类型：N N沟道漏源电压(Vdss)：30V漏电流(Id)：8.A漏源导通电阻(RDS On)：16mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：3.1pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、......
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：APM3048ADU4批号：20 封装：TO252-5沟道类型：N P沟道漏源电压(Vdss)：60V漏电流(Id)：3A漏源导通电阻(RDS On)：30mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：50pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器......
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：AP15P10GJ批号：20 封装：TO251沟道类型：P沟道漏源电压(Vdss)：-100V漏电流(Id)：-12A漏源导通电阻(RDS On)：215mΩ@-10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：32.1pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器......
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：AOD444批号：20 封装：TO252沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V漏电流(Id)：18.2A漏源导通电阻(RDS On)：73mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：41.7pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电......
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：TPCA8036批号：20 封装：QFN8(5X6)沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V漏电流(Id)：80A漏源导通电阻(RDS On)：3mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：210pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广......
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：RFD14N05LSM批号：20 封装：TO252沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V漏电流(Id)：18.2A漏源导通电阻(RDS On)：73mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：41.7pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器......
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：VBC8338批号：20 封装：TSSOP8沟道类型：N P沟道漏源电压(Vdss)：30V漏电流(Id)：6.2A漏源导通电阻(RDS On)：22mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20耗散功率(W)：1.35pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、......
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：VB5222批号：20 封装：SOT23-6沟道类型：N P沟道漏源电压(Vdss)：20V漏电流(Id)：4.2A漏源导通电阻(RDS On)：(Vgs)：±20耗散功率(W)：1.15pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电jy、家用电器、......
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：SI6913DQ-T1批号：20 封装：TSSOP8沟道类型：P P沟道漏源电压(Vdss)：-30V漏电流(Id)：-5.2A漏源导通电阻(RDS On)：36mΩ@-10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：1.14pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测......
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：NDS9948-NL批号：20 封装：SOP8沟道类型：P P沟道漏源电压(Vdss)：-60V漏电流(Id)：-5.3A漏源导通电阻(RDS On)：59mΩ@-10V栅源电压(Vgs)：±20V耗散功率(W)：40pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器......
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