单 P 沟道 55 V 68 W 35 nC Hexfet 功率 Mosfet 法兰安装 - TO-220AB制造商零件编号:IRF9Z34NPBF安装方法: Flange Mount封装形式： TO-220-3 (TO-220AB)包装： TUBE标准包装数量: 50产品亮点Channel Type: P-ChannelDrain-to-Source Voltage [Vdss]: 55 VDrain-Source On Resistance-Max: 0.1 ΩQg Gate Charge: 35 nCRated Power Dissipation: 68 W国际整流器公司的第五代HEXFET采用工艺技术，实现了j低的单位硅片面积导通电阻。它的这个优点加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了非常和的器件，适用于各种应用。TO-220封装通常是功耗值约为50 W的所有商业、工业应用的。TO-220的低热阻和低封装成本使其受到了整个行业的广泛认可。特性xj的工艺技术 动态dv/dt额定值 175 °C的工作温度 快速开关 P沟道 通过了完全雪崩测试 无铅IRF9Z34NPBF是单P沟道MOSFET。它采用TO-220AB封装，管装发货。
关键词：原厂原装场效应管
