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pp ST 型号 STP110N8F6 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 型 用途 DC/直流 经营者：深圳市百汇伟业有限公司
主营产品： 移动电源电芯,移动电源,平板电脑
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材料 ALGaAS铝镓砷 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 用途 A/宽频带放 导电方式 耗尽型 沟道类型 N沟道 种类 结型(JFET) 经营者：东莞市长旺电子有限公司
主营产品： 集成电路,二极管,三极管,可控硅,场效应管,整流器、整流设备
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产品类型 MOS管5.8A20V pp KYV 型号 ST3400 材料 硅(Si) 封装 SOT-23-3L 工作温度范围 110（℃） 经营者：东莞市科研微半导体有限公司
主营产品： 2，4-二硝基甲苯,2，6-二硝基甲苯,速干t恤
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应用范围 放大 pp ~ 型号 ~ 材料 硅(Si) 封装形式 ~ 经营者：汕头市潮南区陈店华诚诺电子商行
主营产品： 可控硅(晶闸管),三极管,场效应管
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pp ST/意法 型号 STP75NF75 种类 缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 型 用途 L/功率放大 经营者：深圳市泰安强电子有限公司
主营产品： 集成电路(IC),电脑集成电路,电路维修
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产品型号pp封装产品型号pp封装KSP2222A/KSP2907AFSCTO-92L78L05STTO-922N5401/2N5551FSCTO-92TL431AWSTO-922N4401/2N4403FSCTO-92TL431AAWSTO-922N6517/2N6520FSCTO-92LM317WSTO-922N5088FSCTO-922SC2328-Y/2SA928-YTOSTO-92LKSP10FSCTO-922SC2383-Y/2S......经营者：东莞市长旺电子有限公司
主营产品： 集成电路,二极管,三极管,可控硅,场效应管,整流器、整流设备
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pp MAR英国马可尼 型号 75NF75ST 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 UNI/一般用途 经营者：杭州古尼电子有限公司
主营产品： 集成电路(IC),三极管,二极管
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pp FAIRCHILD/仙童 型号 ISL9N310AD3ST 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 型 用途 UNI/一般用途 经营者：深圳市金城微零件有限公司
主营产品： 电子元器件场效应管
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ppST/意法 型号STP65NF06 种类缘栅(MOSFET) 沟道类型N沟道 导电方式型 用途SW-REG/开关 封装外形WAFER/裸芯片 材料N-FET硅N沟道 漏电流详见参数资料 跨导详见参数资料 开启电压详见参数资料 夹断电压详见参数 经营者：深圳市佳仕达科技有限公司
主营产品： 二极管,三极管,场效应管,集成电路,可控硅
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pp ST/意法 型号 STF13NM60N 种类 缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大 经营者：深圳市福田区英之科电子商行
主营产品： 场效应管,三极管,二极管
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ppFAIRCHILD/仙童 型号HUF76113T3ST 种类缘栅(MOSFET) 沟道类型N沟道 导电方式型 封装外形SMD(SO)/ 材料N-FET硅N沟道 漏电流4.7A 开启电压3 夹断电压20 经营者：深圳市金城微零件有限公司
主营产品： 电子元器件场效应管
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ppFAIRCHILD/仙童 型号ISL9N308AD3S 种类缘栅(MOSFET) 沟道类型N沟道 导电方式型 用途UNI/一般用途 封装外形SMD(SO)/表面封装 材料GE-N-FET锗N沟道 漏电流50A 开启电压1-3 经营者：深圳市金城微零件有限公司
主营产品： 电子元器件场效应管
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ppFAIRCHILD/仙童 型号ISL9N312AD3S 种类缘栅(MOSFET) 沟道类型N沟道 导电方式型 封装外形SMD(SO)/ 材料N-FET硅N沟道 漏电流50A 开启电压3 夹断电压20 间电容1450 耗散功率75W 经营者：深圳市金城微零件有限公司
主营产品： 电子元器件场效应管
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ppST/意法 型号STP60NF10 种类缘栅(MOSFET) 沟道类型MOSFETN 导电方式型 用途S/开关 封装外形TO-220-3 材料N-FET硅N沟道 漏电流80A 夹断电压20 经营者：深圳市金城微零件有限公司
主营产品： 电子元器件场效应管
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ppST/意法 型号STP80N70F4TO 种类缘栅(MOSFET) 沟道类型N沟道 导电方式型 用途S/开关 封装外形P-DIT/塑料双列直插 材料N-FET硅N沟道 经营者：深圳市金城微零件有限公司
主营产品： 电子元器件场效应管
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产品型号:STF13NM60N封装:TO-220F源漏间雪崩电压V(br)dss(V):600夹断电压VGS(V):±25漏电流Id(A):11源漏导通电阻rDS(on)(Ω):0.36 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):90间电容Ciss(PF):790通道性:N沟道低频跨导gFS(s)：单脉冲雪崩能量EAS(m......经营者：深圳市金城微零件有限公司
主营产品： 电子元器件场效应管
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产品型号:ISL9N2357D3ST封装:SOT-252/DPAK源漏间雪崩电压V(br)dss(V):30夹断电压VGS(V):±20漏电流Id(A):35源漏导通电阻rDS(on)(Ω):0.007 @VGS =10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):100间电容Ciss(PF):5600通道性:N沟道低频跨导gFS(s)：单脉冲雪崩......经营者：深圳市金城微零件有限公司
主营产品： 电子元器件场效应管
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具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系，以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷，谢谢您！全新zp!价格优惠!现货供应!MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑......经营者：深圳市金城微零件有限公司
主营产品： 电子元器件场效应管
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pp ST/意法 种类 缘栅(MOSFET) 用途 L/功率放 材料 N-FET硅N沟道 型号 75NF75 沟道类型 N沟道 经营者：深圳市诚泰丰科技有限公司
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型号 STP80NF70，TO-22 材料 N-FET硅N沟道 pp ST/意法 沟道类型 MOSFETN通道，金 种类 缘栅(MOSFET) 导电方式 型 经营者：深圳市金城微零件有限公司
主营产品： 电子元器件场效应管
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漏电流 8A 材料 N-FET硅N沟道 种类 缘栅(MOSFET) 型号 STP80N70F411NPBT 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 pp ST/意法 经营者：深圳市金城微零件有限公司
主营产品： 电子元器件场效应管