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品 牌： Infineon(英飞凌)厂家型号： IRF640NPBF封装： TO-220(TO-220-3)商品毛重： 2.64克(g)包装方式： 管装
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单片机
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品 牌： Infineon(英飞凌)厂家型号： SPW35N60C3封装： TO-247商品毛重： 7.86克(g)包装方式： 管装英飞凌 SPW35N60C3场效应管 MOS 封装TO-247
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单片机
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北京华恒鑫达科技发展有限公司 是一家致力于为核工业研究及生产l域提供元器件和相关产品设备的公司。多年来，公司的客户已遍布全国各地，因真诚﹑守信﹑服务周到而赢得相关l域客户的信赖
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品 牌： Infineon(英飞凌)厂家型号： IPD60R280P7S封装： PG-TO252-3商品毛重： 1克(g)包装方式： 编带商品目录 场效应管(MOSFET) ：类型 N沟道 漏源电压(Vdss)： 600V 连续漏j电流(Id)： 12A 功率(Pd)： 53W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 280mΩ@10V,3.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@190μA
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商品目录 ：场效应管(MOSFET)类型： N沟道漏源电压(Vdss) ：75V连续漏Ji电流(Id)： 7.8A功率(Pd) ：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 22mΩ@10V,7.2A阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250μA美台MOS管 DMN7022LFGQ场效应管 原装
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：VB7638批号：20 封装：SOT23-6沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V漏电流(Id)：7A漏源导通电阻(RDS On)：30mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20耗散功率(W)：5pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电jy、......
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：VBQA1606批号：20 封装：DFN8(5X6)沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V漏电流(Id)：80A漏源导通电阻(RDS On)：6mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20耗散功率(W)：136pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广......
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：VBI1638批号：20 封装：SOT89-3沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V漏电流(Id)：8A漏源导通电阻(RDS On)：30mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20耗散功率(W)：1.7pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电jy......
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：VBJ1638批号：20 封装：SOT223沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V漏电流(Id)：7A漏源导通电阻(RDS On)：29mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20耗散功率(W)：1.7pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电jy......
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电子元器件包装,库存电子元器件、材料,其他电子元器件
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技术参数pp：VBsemi台湾微碧型号：VBA1630批号：20 封装：SOP8沟道类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V漏电流(Id)：7.6A漏源导通电阻(RDS On)：25mΩ@10V栅源电压(Vgs)：±20耗散功率(W)：5pp介绍规格书用途/应用域3C数码、安防设备、测量仪器、广电jy、......
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电子元器件包装,库存电子元器件、材料,其他电子元器件
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电子元器件包装,库存电子元器件、材料,其他电子元器件
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AO3452 美国万代MOS管 原装。 深供应美国万代AO系列等mos管:AO3452, SOT-23：AO3160，AO3162，AO3400，AO3400A，AO3401，AO3401A，AO3402，AO3403，AO3404，AO3404A，AO3406，AO3407，AO3407A，AO3409，AO3413，AO3414，AO3415，AO341A，AO3416，AO......
经营者：深圳市九亨电子有限公司
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AOS场效应管
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供应AOS美国万代 全系列原装现货 产品热卖中：SOT-23：AO3160，AO3162，AO3400，AO3400A，AO3401，AO3401A，AO3402，AO3403，AO3404，AO3404A，AO3406，AO3407，AO3407A，AO3409，AO3413，AO3414，AO3415，AO341A，AO3416，AO3418，AO3419，AO3420，A......
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AOS场效应管
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FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V25°C 时电流 - 连续漏 (Id)4A（Ta）驱动电压（ Rds On，小 Rds On）2.5V，10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）52 毫欧 @ 4A，10V不同 Id 时 Vgs(th)（值）1.5V @ 250µA......
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AOS场效应管
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FET 类型P 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）20V25°C 时电流 - 连续漏 (Id)A（Ta）驱动电压（ Rds On，小 Rds On）1.5V，4.5V不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）41 毫欧 @ 4A， 4.5V不同 Id 时 Vgs(th)（值）900mV @ 250......
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AOS场效应管
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基本参数pp :AOS/美国万代型号 :ARDV种类 :缘栅(MOSFET)沟道类型 :MOSFETN通道，金属氧化物导电方式 :型用途 :SW-REG/开关电源封装外形 :SMD(SO)/表面封装材料 :N-FET硅N沟道深圳市九亨电子有限公司 自成立以来，本着诚信原则，以顾客z上，互......
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AOS场效应管
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供应AOS美国万代 全系列原装现货 产品热卖中：SOT-23：AO3160，AO3162，AO3400，AO3400A，AO3401，AO3401A，AO3402，AO3403，AO3404，AO3404A，AO3406，AO3407，AO3407A，AO3409，AO3413，AO3414，AO3415，AO341A，AO3416，AO3418，AO3419，AO3420，A......
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AOS场效应管
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AO3421 AOS SOT-23-3 AOS全系列原装现货 AO3421E AOS SOT-23-3 AOS全系列原装现货 AO3422 AOS SOT-23-3 AOS全系列原装现货 AO3423 AOS SOT-23-3 AOS全系列原装现货 AO3424 AOS SOT-23-3 AOS全系列原装现货 AO3434A AOS SOT-23-3......
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AOS场效应管
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AOS公司质量理念 质量理念贯穿产品设计直z交付的整个过程。在AOS业务流程的每个部分，AOS 都实施质量管理。AOS关注于 顾客满意：AOS 将顾客满意度置于位，因为AOS的成功取决 于AOS使顾客满意的能力持续改进：AOS 的所有员工清楚AOSbx持续提高竞争......
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AOS场效应管
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FET 类型P 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）20V25°C 时电流 - 连续漏 (Id)2A（Ta）驱动电压（ Rds On，小 Rds On）2.5V，10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）92 毫欧 @ 2A，10V不同 Id 时 Vgs(th)（值）1.4V @ 250µA......
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AOS场效应管
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FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V25°C 时电流 - 连续漏 (Id)19A（Ta）驱动电压（ Rds On，小 Rds On）4.5V，10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）5.3 毫欧 @ 19A，10V不同 Id 时 Vgs(th)（值）2.3V @ 250......
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AOS场效应管
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AOS全称是Alpha and Omega Semiconductor，在 习惯被叫做万代半导体，AOS是一家成立于2000年的年轻美国半导体公司，但却以其功率半导体技术而闻名，AOS是一家集设计、开发和生产分立元件及模拟电源管理芯片于一体的、处于地位的半导体公司，AOS公司......
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AOS场效应管
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FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）60V25°C 时电流 - 连续漏 (Id)18A（Ta）驱动电压（ Rds On，小 Rds On）4.5V，10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）5.2 毫欧 @ 18A，10V不同 Id 时 Vgs(th)（值）2.4V @ 250......
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供应AOS美国万代 全系列产品热卖中：SOT-23：AO3160，AO3162，AO3400，AO3400A，AO3401，AO3401A，AO3402，AO3403，AO3404，AO3404A，AO3406，AO3407，AO3407A，AO3409，AO3413，AO3414，AO3415，AO341A，AO3416，AO3418，AO3419，AO3420，AO3421，AO3......
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供应AOS美国万代全系列MOS管:SO-8系列: AO9926B、AO4407、AO4409、AO4419、AO4410、AO4411SOT-23: AO3400、AO3401、AO3414、AO3402、AO341AOS全称是Alpha and Omega Semiconductor，在 习惯被叫做万代半导体，AOS是一家成立于2000年的年轻美国半......
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ppAOS/万代批号19+封装SOP-8数量 3000描述MOSFET N-CHANNEL 60V 11A 8SO湿气性等级 （MSL）1（无限）原厂标准交货期18 周详细描述表面贴装型-N-通道-60V-11A（Ta）-3.1W（Ta数据列表AO4266标准包装3,000包装标准卷带零件状态有源产品族晶体管 -......
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AOS场效应管
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FET 类型P 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）20V25°C 时电流 - 连续漏 (Id)3A（Ta）驱动电压（ Rds On，小 Rds On）1.8V，4.5V不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）80 毫欧 @ 3A，4.5V不同 Id 时 Vgs(th)（值）1V @ 250µA......
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AOS场效应管
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FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V25°C 时电流 - 连续漏 (Id)3.8A（Ta）驱动电压（ Rds On，小 Rds On）2.5V，10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）55毫欧 @ 3，8A，10V不同 Id 时 Vgs(th)（值）1.5V @ 250......
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ppAOS万代批号19+封装SOIC-8L数量36000型号AO4268深圳市九亨电子有限公司 自成立以来，本着诚信原则，以顾客z上，互利互惠的经营理念，立足深圳，面向国际市场，赢得广客户一致的信赖和好评。公司主要代理AOS美国万代，主要提供功率MOSFET，电源IC和瞬......
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AOS场效应管
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FET 类型P 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）20V25°C 时电流 - 连续漏 (Id)3.A（Ta）驱动电压（ Rds On，小 Rds On）1.8V，10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）85 毫欧 @ 3.A，10V不同 Id 时 Vgs(th)（值）1.2V @ 250µ......
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品 牌： Infineon(英飞凌)厂家型号： IRF640NPBF封装： TO-220(TO-220-3)商品毛重： 2.64克(g)包装方式： 管装经营者：深圳市宏鼎微科技有限公司